2025年2月12日、韓国・朝鮮ビズは「中国の半導体メモリ産業をけん引する長鑫存儲技術（CXMT）がDRAMに続いて技術難易度の高い広帯域メモリー（HBM）市場に参入するとみられ、サムスン電子とSKハイニックスに緊張が走っている」とし、「米国が対中制裁を強化する中で急速に技術力を高めているCXMTが、レガシー製品だけでなく最先端製品のHBMの量産に向けて加速した場合、今後数年以内に韓国の半導体メモリ産業が打撃を受けるという悲観的な見方が出ている」と伝えた。

記事によると、CXMTは第2世代製品のHBM2の生産に向け設備投資を行っている。HBM2は韓国のサムスン電子、SKハイニックスが16年に量産を開始した製品。記事は「韓国より10年ほど遅れているが、専門家の間では、HBM2製品の規格がすでに標準化されているため最先端のHBMに比べて開発速度が加速すると予想されている」と説明している。

CXMTの開発速度は20年代から急速に上がっている。中国産DRAMの世界市場シェアは20年まで0％だったが、昨年は5％に上昇した。韓国の半導体業界ではかつて、中国産DRAMの量産について不可能、もしくは10年以上かかるとの見方がほとんどだったという。また、CXMTは最近、DDR4など旧世代のDRAMだけなく、DDR5の開発においても進展をみせており、韓国では大規模量産への懸念が高まっている。

記事は「中国との技術差が急速に縮まっていることを受け、サムスン電子とSKハイニックスは重大な岐路に立たされている」とし、「すでにDDR4市場で中国の物量攻勢により打撃を受け始めている2社は、5年後の状況に不安を抱いている」と伝えている。

専門家は「サムスン電子とSKハイニックスがすでに市場に出した製品は中国企業も1年あれば新製品を開発できるほど技術力が向上している。ただ、大量量産のための工程では多少苦労するかもしれない」と指摘した。また、「汎用メモリー市場での中国との物量、価格対決は事実上不可能なため、パラダイムを変えてポートフォリオを多様化しなければならない」との見解を示したという。

この記事を見た韓国のネットユーザーからは「他国は政府が企業を後押ししているのに、韓国は政府が企業のじゃまをしてばかり」「韓国から技術を盗み、人材を盗んでいった結果では？スパイ法改正に反対する野党のせいだ」「文在寅（ムン・ジェイン）前政権と共に民主党がサムスンをいじめたから」「文前大統領がイ・ジェヨン氏（サムスントップ）を監獄に入れて韓国の半導体を後退させた」「サムスンから技術を流出させた人を絶対に許してはならない。国を殺したも同然だ」「中国の技術は急速に成長しているが、まだ韓国がリードしている。この差を維持する、またはさらに拡大させるには、技術革新のためのさらなる投資と戦略が必須」などの声が上がっている。（翻訳・編集/堂本）